Industria semiconductorilor necesită cea mai mare puritate posibilă pentru materialele sale de grafit, în special pentru componentele de grafit care intră în contact direct cu materialele semiconductoare, cum ar fi creuzetele și matrițele de sinterizare. Impuritățile excesive pot contamina materialele semiconductoare. Prin urmare, nu numai că puritatea grafitului brut este strict controlată, dar este sudată și o grafitizare la temperatură ridicată pentru a minimiza conținutul de cenușă.
Industria semiconductorilor necesită, de asemenea, grafit cu granulație fină. Grafitul cu granulație fină nu este mai ușor de preparat cu precizie, dar se mândrește și cu rezistența la temperatură ridicată și o uzură minimă. Formele de sinterizare, în special, necesită o precizie de prelucrare extrem de ridicată. Deoarece componentele de grafit utilizate în industria semiconductorilor (inclusiv încălzitoarele și matrițele de sinterizare) trebuie să reziste la ciclurile repetate de încălzire și răcire, materialul de grafit trebuie să prezinte o stabilitate dimensională excelentă și o rezistență termică de șoc la temperaturi ridicate pentru a -și maximiza durata de viață. Grafitul fabricat din cocsul petrolier necalminat este un material cu granulație fină, cu o rezistență mecanică ridicată. Poate fi utilizat în produse electronice, cum ar fi creuzetele, plăcile subțiri, discurile, încălzitoarele pentru cuptoare în vid și de înaltă frecvență, scuturi de căldură, vase de grafit pentru topirea metalelor pure, principale (muchii) pentru echipamente experimentale la temperaturi de înaltă temperatură, matrițe de presare la cald și filtre. Acest material poate funcționa la temperaturi sub 2500 grade în atmosfere inerte sau de protecție.
Grafitul ultra-pure, cu rezistență ridicată, cu un strat de protecție, se face din grafitul obișnuit cu granulație fină, care a fost purificat și degazat într-un vid, urmat de densificarea suprafeței cu carbon pirolitic. Aceste produse (încălzitoare, discuri, vase de grafit etc.) pot fi utilizate pentru a cultiva filme subțiri de siliciu folosind metoda de creștere epitaxială a gazului. Grosimea stratului de protecție densificat format din carbonul pirolitic nu este mai mare de 2 mm. Un strat subțire de grafit pirolitic de până la 0,1 mm grosime poate fi de asemenea depus pe suprafața produsului densificat.